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轻松识别DDR内存颗粒编号!

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发表于 2003-5-25 17:56:38 | 显示全部楼层 |阅读模式
:lol: 轻松识别DDR内存颗粒编号!

HY XX X XX XX XX X X X X   X   XX
1   2   3  4   5   6   7  8 9 10  11 12

1、HY代表是现代的产品

2、内存芯片类型:(57=SDRAM,5D=DDR SDRAM);

3、工作电压:空白=5V,V=3.3V,U=2.5V 

4、芯片容量和刷新速率:16=16Mbits、4K Ref;64=64Mbits、8K Ref;65=64Mbits、4K Ref;128=128Mbits、8K Ref;129=128Mbits、4K Ref;256=256Mbits、16K Ref;257=256Mbits、8K Ref

5、代表芯片输出的数据位宽:40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位

6、BANK数量:1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank,是2的幂次关系

7、I/O界面:1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2

8、芯片内核版本:可以为空白或A、B、C、D等字母,越往后代表内核越新

9、代表功耗:L=低功耗芯片,空白=普通芯片

10、内存芯片封装形式:JC=400mil SOJ,TC=400mil TSOP-Ⅱ,TD=13mm TSOP-Ⅱ,TG=16mm TSOP-Ⅱ

11、工作速度:55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L :DDR200、H :DDR266B、 K :DDR266A
发表于 2003-5-26 15:15:41 | 显示全部楼层
我给你续完!
    MT        XX        XX        XX        X        XX        XX        XX        XX        X
    1        2        3        4        5        6        7        8        9        10
    1、MT代表Micron的产品

  2、代表产品种类:48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus

  3、代表处理工艺:C=5V Vcc CMOS,LC=3.3V Vdd CMOS,V=2.5V Vdd CMOS

  5、容量单位:无字母=Bits,K=Kilobits(KB),M=Megabits(MB),G=Gigabits(GB)

  6、表示数据位宽:4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位

  7、代表封装:TG=TSOPⅡ封装,DJ=SOJ,DW=宽型SOJ,F=54针4行FBGA,FB=60针8*16 FBGA,FC=60针11*13 FBGA,FP=反转芯片封装,FQ=反转芯片密封,F1=62针2行FBGA,F2=84针2行FBGA,LF=90针FBGA,LG=TQFP,R1=62针2行微型FBGA,R2=84针2行微型FBGA,U=μ BGA

  8、代表速度:-8支持PC200(CL2)、-75支持PC200(CL2)和PC266B(CL=2.5)、-7支持PC200(CL2)、PC266B(CL2)、PC266A(CL=2.5)

  9、代表功耗:L=低耗,空白=普通


   TC        XX        X        XX        XX        X        XX        X        XX
    1        2        3        4        5        6        7        8        9
 
    1、TC代表是东芝的产品

  2、59代表SDRAM代表是SDRAM

  3、代表内存种类:S=普通SDRAM,R=Rambus SDRAM,W=DDR SDRAM

  4、代表容量:64=64Mb,M7=128Mb

  5、表示数据位宽:04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位

  6、表示内核的版本:可以为空白或A、B、C等字母,越往后代表内核越新

  7、代表封装:FT为TSO II封装

  8、代表内存功耗:L=低功耗,空白=普通

  9、代表速度:75=7.5ns[133MHz],80=8ns[125MHz],10=10ns[100MHz CL=3 ]


    W        XX        XX        XX        XX
    1        2        3        4        5

   1、W代表内存颗粒是由Winbond生产

  2、代表显存类型:98为SDRAM,94为DDR RAM?

  3、代表颗粒的版本号:常见的版本号为B和H;

  4、代表封装,H为TSOP封装,B为BGA封装,D为LQFP封装

  5、工作频率:0:10ns、100MHz;8:8ns、125MHz;Z:7.5ns、133MHz;Y:6.7ns、150MHz;6:6ns、166MHz;5:5ns、200MHz

   KM        X        XX        X        XX        X        X        X        X        X
   1        2        3        4        5        6        7        8        9        10

   1、KM或者K表示相应的内存颗粒是三星生产的

  2、内存芯片类型:4表示DDR SDRAM

  3、代表芯片输出的数据位宽:40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位

  4、工作电压:H=DDR SDRAM,3.3V、L=DDR SDRAM,2.5V

  5、内存密度组成:4:4Mbit、8:8 Mbit、16:16 Mbit、32:32 Mbit、64:64 Mbit、12:128 Mbit、25:256 Mbit、51:512 Mbit

  6、芯片容量和刷新速度:0:64m /4K [15.6μs]、1:32m/2K [15.6μs]、2:128m/8K [15.6μs]、3:64m/8K [7.8μs]、4:128m/16K [7.8μs]

  7、表示内存排数:3:4排、4:8排

  8、代表接口电压:0:混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1:SSTL_2(2.5V)

  9、表示封装类型:T:66针TSOP II、B:BGA、C:微型BGA(CSP)

  10、工作频率:0:10ns、100MHz(200Mbps);8:8ns、125MHz(250Mbps);Z:7.5ns、133MHz(266Mbps);Y:6.7ns、150MHz(300Mbps);6:6ns、166MHz(333Mbps);5:5ns、200MHz(400Mbps)
发表于 2003-5-26 21:23:47 | 显示全部楼层
哦!
发表于 2003-5-29 13:35:34 | 显示全部楼层
好象三星的还没有吧。。。[/b:23869c5c7a]
发表于 2003-6-7 13:25:08 | 显示全部楼层

市面常见内存颗粒编号

现代DDR内存

  随着各大内存和主板厂商的跟近,使得我们有理由相信DDR的时代终于来临了。既然DDR内存已经下滑到传统的SDRAM价格水平,支持DDR的主板芯片组技术日益成熟,那我们就没有理由去买一台配备SDRAM的ATHLON计算机。双倍速传输速率的SDRAM在Geforce2、Geforce3、RADEON等显卡上应用也已经快2年了,并得到了大家的认可。HY作为SDRAM的颗粒生产大厂自然早已加入了DDR的生产行列,但是我们对其颗粒编号的认识还是很模糊的,下面我就来给大家介绍介绍HY颗粒编号的秘密。



1: HY代表是现代的产品

2:内存芯片类型:(57=SDRAM,5D=DDR SDRAM);

3:工作电压:空白=5V,V=3.3V,U=2.5V 

4:芯片容量和刷新速率:16=16Mbits、4K Ref;64=64Mbits、8K Ref;65=64Mbits、4K Ref;128=128Mbits、8K Ref;129=128Mbits、4K Ref;256=256Mbits、16K Ref;257=256Mbits、8K Ref

5: 代表芯片输出的数据位宽:40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位

6:BANK数量:1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank,是2的幂次关系

7:I/O界面:1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2

8:芯片内核版本:可以为空白或A、B、C、D等字母,越往后代表内核越新

9:代表功耗:L=低功耗芯片,空白=普通芯片

10:内存芯片封装形式:JC=400mil SOJ,TC=400mil TSOP-Ⅱ,TD=13mm TSOP-Ⅱ,TG=16mm TSOP-Ⅱ

11:工作速度:55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L :DDR200、H :DDR266B、 K :DDR266A

三星DDR内存

  三星的DDR内存目前在市场上的销量算是比较大的,搞清楚内存颗粒上的编号的含义,对于用户的选购是绝对有好处的,下面我们就来看看这些数字代表什么意思。



1、KM或者K表示相应的内存颗粒是三星生产的

2、内存芯片类型:4表示DDR SDRAM

3、代表芯片输出的数据位宽:40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位

4、工作电压:H=DDR SDRAM,3.3V、L=DDR SDRAM,2.5V

5、内存密度组成:4:4Mbit、8:8 Mbit、16:16 Mbit、32:32 Mbit、64:64 Mbit、12:128 Mbit、25:256 Mbit、51:512 Mbit

6、芯片容量和刷新速度:0:64m /4K [15.6μs]、1:32m/2K [15.6μs]、2:128m/8K [15.6μs]、3:64m/8K [7.8μs]、4:128m/16K [7.8μs]

7、表示内存排数:3:4排、4:8排

8、代表接口电压:0:混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1:SSTL_2(2.5V)

9、表示封装类型:T:66针TSOP II、B:BGA、C:微型BGA(CSP)

10、工作频率:0:10ns、100MHz(200Mbps);8:8ns、125MHz(250Mbps);Z:7.5ns、133MHz(266Mbps);Y:6.7ns、150MHz(300Mbps);6:6ns、166MHz(333Mbps);5:5ns、200MHz(400Mbps)

Micron DDR内存
 
  Micron公司是世界上知名内存生产商之一,其SDRAM芯片编号格式为:MT48 ab cdMef Ag TG-hi j



1、MT代表Micron的产品

2、代表产品种类:48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus

3、代表处理工艺:C=5V Vcc CMOS,LC=3.3V Vdd CMOS,V=2.5V Vdd CMOS

5、容量单位:无字母=Bits,K=Kilobits(KB),M=Megabits(MB),G=Gigabits(GB)

6、表示数据位宽:4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位

8、代表封装:TG=TSOPⅡ封装,DJ=SOJ,DW=宽型SOJ,F=54针4行FBGA,FB=60针8*16 FBGA,FC=60针11*13 FBGA,FP=反转芯片封装,FQ=反转芯片密封,F1=62针2行FBGA,F2=84针2行FBGA,LF=90针FBGA,LG=TQFP,R1=62针2行微型FBGA,R2=84针2行微型FBGA,U=μ BGA

9、代表速度:-8支持PC200(CL2)、-75支持PC200(CL2)和PC266B(CL=2.5)、-7支持PC200(CL2)、PC266B(CL2)、PC266A(CL=2.5)

10、代表功耗:L=低耗,空白=普通

TOSHIBA DDR内存



1、TC代表是东芝的产品

2、59代表SDRAM代表是SDRAM

3、代表内存种类:S=普通SDRAM,R=Rambus SDRAM,W=DDR SDRAM

4、代表容量:64=64Mb,M7=128Mb

5、表示数据位宽:04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位

6、表示内核的版本:可以为空白或A、B、C等字母,越往后代表内核越新

7、代表封装:FT为TSO II封装

8、代表内存功耗:L=低功耗,空白=普通

9:、代表速度:75=7.5ns[133MHz],80=8ns[125MHz],10=10ns[100MHz CL=3

宇瞻DDR内存



1、W代表内存颗粒是由Winbond生产

2、代表显存类型:98为SDRAM,94为DDR RAM?

5、代表颗粒的版本号:常见的版本号为B和H;

6、代表封装,H为TSOP封装,B为BGA封装,D为LQFP封装

7、工作频率:0:10ns、100MHz;8:8ns、125MHz;Z:7.5ns、133MHz;Y:6.7ns、150MHz;6:6ns、166MHz;5:5ns、200MHz
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